Evidence of defect formation in monolayer MoS2 at ultralow accelerating voltage electron irradiation
Julkaisuvuosi
2023
Tekijät
Dash, Ajit Kumar; Swaminathan, Hariharan; Berger, Ethan; Mondal, Mainak; Lehenkari, Touko; Prasad, Pushp Raj; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Komsa, Hannu-Pekka; Singh, Akshay
Organisaatiot ja tekijät
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Lehti
Kustantaja
Numero
3
Artikkelinumero
035002
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
3
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Julkaisukanavan avoin saatavuus
Osittain avoin julkaisukanava
Kustantajan version lisenssi
Muu lisenssi
Rinnakkaistallennettu
Kyllä
Rinnakkaistallenteen lisenssi
CC BY NC ND
Muut tiedot
Tieteenalat
Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Avainsanat
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Julkaisumaa
Yhdistynyt kuningaskunta
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1088/2053-1583/acc7b6
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä