Improved H2 detection performance of GaN sensor with Pt/Sulfide treatment of porous active layer prepared by metal electroless etching
Julkaisuvuosi
2021
Tekijät
Shafa, Muhammad; Aravindh,S. Assa; Hedhili,Mohamed N.; Mahmoud,Saleh T.; Pan, Yi; Ng,Tien Khee; Ooi,Boon S.; Najar,Adel
Organisaatiot ja tekijät
Oulun yliopisto
Sasikala Devi Assa 
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Numero
5
Sivut
4614-4625
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
1
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Fysiikka
Julkaisumaa
Alankomaat
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei
DOI
10.1016/j.ijhydene.2020.10.275
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä