undefined

< Takaisin hakutuloksiin

Gate bias symmetry dependency of electron mobility and prospect of velocity modulation in double-gate silicon-on-insulator transistors

Julkaisuvuosi

2004

Tekijät

Prunnila, Mika; Ahopelto, Jouni; Henttinen, Kimmo; Gamiz, F.

Organisaatiot ja tekijät

Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy

Ahopelto Jouni

Prunnila Mika

Julkaisutyyppi

Julkaisumuoto

Artikkeli

Emojulkaisun tyyppi

Lehti

Artikkelin tyyppi

Alkuperäisartikkeli

Yleisö

Tieteellinen

Vertaisarvioitu

Vertaisarvioitu

OKM:n julkaisutyyppiluokitus

A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisukanavan tiedot

Lehti

Applied Physics Letters

Volyymi

85

Numero

22

Sivut

5442 - 5444

ISSN

0003-6951

Julkaisu­foorumi

51518

Julkaisufoorumitaso

2

Avoin saatavuus

Avoin saatavuus kustantajan palvelussa

Ei

Rinnakkaistallennettu

Ei

Muut tiedot

Avainsanat

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Kieli

englanti

Kansainvälinen yhteisjulkaisu

Ei

Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa

Ei

DOI

10.1063/1.1829384

Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen

Ei