Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
Julkaisuvuosi
2014
Tekijät
Tapajna, Milan; Killat, Nicole ; Palankovski, Vassil; Gregusova, Dagmar; Cico, Karol; Carlin, Jean-Francois; Grandjean, Nicolas; Kuball, Martin; Kuzmik, Jan
Organisaatiot ja tekijät
Oulun yliopisto
Palankovski Vassil
Julkaisutyyppi
Julkaisumuoto
Artikkeli
Emojulkaisun tyyppi
Lehti
Artikkelin tyyppi
Alkuperäisartikkeli
Yleisö
TieteellinenVertaisarvioitu
VertaisarvioituOKM:n julkaisutyyppiluokitus
A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessäJulkaisukanavan tiedot
Numero
8
Sivut
2793-2801
ISSN
Julkaisufoorumi
Julkaisufoorumitaso
3
Avoin saatavuus
Avoin saatavuus kustantajan palvelussa
Ei
Rinnakkaistallennettu
Ei
Muut tiedot
Tieteenalat
Sähkö-, automaatio- ja tietoliikennetekniikka, elektroniikka
Julkaisumaa
Yhdysvallat (USA)
Kustantajan kansainvälisyys
Kansainvälinen
Kieli
englanti
Kansainvälinen yhteisjulkaisu
Kyllä
Yhteisjulkaisu yrityksen kanssa
Ei tietoa
DOI
10.1109/TED.2014.2332235
Julkaisu kuuluu opetus- ja kulttuuriministeriön tiedonkeruuseen
Kyllä